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  • 2025

    5-13

    在工业自动化控制领域,层流压差式质量流量控制器(MassFlowController,MFC)是精确测量和控制气体流量的核心设备。而在易燃易爆的危险环境中,IIC防爆型质量流量控制器凭借其高安全性和技术优势,占据了石油化工、窑炉、半导体制造、新能源等领域的核心市场。层流压差原理是质量流量控制器实现高精度流量控制的基础。其核心在于当气体通过层流元件时,流体会处于层流状态(雷诺数较低),此时流体内部的速度分布呈抛物线形,压差与体积流量呈线性关系。通过测量层流元件两端的压差,结合流...

  • 2025

    5-9

    层流压差式防爆型的质量流量控制器的工艺结构及特点耐腐蚀材料与密封优化材料选择:采用316L不锈钢流道,其低碳含量与钼元素增强了抗点蚀和晶间腐蚀能力,适用于Cl⁻、H₂S等腐蚀性介质环境。密封技术:关键密封点使用FFKM全氟醚橡胶或PTFE材质,耐受强酸、强碱及有机溶剂,漏率控制在1×10⁻10Pa·m³/s以下,避免介质泄漏导致的部件失效。层流元件与传感技术层流元件:强制流体进入雷诺数Re双通道压差传感:结合温度补偿模块修正粘度变化误差,典型精度可达±0.5%读...

  • 2025

    5-7

    质量流量控制器(MassFlowController,MFC)在原子层沉积(AtomicLayerDeposition,ALD)设备中扮演着关键角色,其高精度、快速响应和稳定性对实现ALD工艺的高质量薄膜沉积至关重要。前驱体气体的精确控制脉冲式气体注入:ALD工艺基于交替的前驱体气体脉冲注入(如金属有机化合物、反应气体等)。MFC需在极短时间内(毫秒级)精确控制气体流量,确保每个脉冲的气体量一致,从而实现单原子层的逐层沉积。流量稳定性:MFC通过闭环反馈系统实时调节流量,避免...

  • 2025

    5-6

    在工业自动化与精密流体控制领域,耐腐蚀型质量流量控制器(MFC)是保障生产安全与效率的关键设备。针对腐蚀性介质的严苛工况,基于层流压差原理设计的耐腐蚀型MFC通过材料优化与结构创新,在半导体、化工、环保等领域展现价值。产品概述:层流压差式MFC的耐腐蚀设计层流压差式MFC基于流体层流状态下的压差-流量线性关系,通过高精度传感器与算法实现流量精准控制。在耐腐蚀性能方面,其核心技术体现在三方面:材料选择:核心流道与接触部件采用316L不锈钢,其低碳含量与钼元素显著提升抗点蚀、晶间...

  • 2025

    4-28

    泄漏率测试是工业制造与科研领域中确保系统密封性的关键环节,广泛应用于半导体设备、真空系统、医疗仪器、航空航天等高精度领域。测试的核心目标是量化气体或液体在密闭系统中的微小泄漏量,通常以标准立方厘米每分钟(sccm)或类似单位衡量。由于现代工业对密封性的要求日益严苛(如半导体工艺中允许的泄漏率可能低至1×10⁻⁹sccm级别),传统检测手段难以满足需求,而基于层流压差式质量流量控制器(MFC)的技术因其高精度、快速响应和环境适应性,逐渐成为泄漏率测试的核心设备。层流压差式MFC...

  • 2025

    4-27

    挥发性有机物(VOCs)的在线监测是环保治理的关键环节,尤其在工业废气处理、大气污染防控等领域。而层流压差式质量流量控制器(MassFlowController,简称MFC)凭借其高精度、抗吸附性及耐腐蚀等特点,成为VOCs在线监测系统中的核心组件。层流压差式MFC的技术原理与VOCs监测的适配性层流压差式MFC基于哈根-泊肃叶定律,通过层流元件强制气体进入层流状态(雷诺数Re技术特性与VOCs监测的适配性:高精度与稳定性:精度可达±0.5%读数,重复性&plu...

  • 2025

    4-25

    质量流量控制器在诸多领域中发挥着关键作用,其性能的优劣直接关系到系统的精确控制和稳定运行。以下是一些影响质量流量控制器性能的重要因素。流体特性是影响质量流量控制器性能的关键因素之一。不同的流体具有不同的物理性质,如密度、粘度、温度和压力等。密度较大的流体在相同的流速下会产生更大的质量流量,而粘度较高的流体则可能导致流量测量和控制的误差增大。此外,流体的温度和压力变化也会对控制器的性能产生影响,因为这些变化会导致流体密度和体积的改变,进而影响质量流量的测量精度。精度和分辨率也是...

  • 2025

    4-25

    化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)是半导体制造中实现晶圆表面纳米级平坦化的关键工艺,其核心设备CMP机台通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用,确保芯片多层结构的精确加工。质量流量控制器(MassFlowController,MFC)作为高精度气体流量控制的核心部件,在CMP设备中扮演了重要角色。CMP工艺对气体控制的严苛需求CMP工艺的核心是通过抛光液与晶圆表面的化学反应及机械摩擦实现材料去除。在此过程中,多种工艺气体(如氧气、氮气、氩...

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